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2N5114JTXV02

2N5114JTXV02

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5114JTXV02
PNEDA Teilenummer 2N5114JTXV02
Beschreibung JFET P-CH 30V TO-206AA
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N5114JTXV02 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5114JTXV02
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2N5114JTXV02 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ-
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AA (TO-18)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF246A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2N4416-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AF (TO-72)

J176_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

250 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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