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2SK275100L

2SK275100L

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK275100L
PNEDA Teilenummer 2SK275100L
Beschreibung JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SK275100L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK275100L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2SK275100L, 2SK275100L Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 198,42 KB)
PDF2SK275100L Datenblatt Cover
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2SK275100L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.4µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max10mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id3.5V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketMini3-G1

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

16mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4.9pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

Stromaufnahme (Id) - max

26A

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

100 mOhms

Leistung - max

190W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4.1pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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