2SK596S-B
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK596S-B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 1MA 100MW SPA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 20.035 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK596S-B Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK596S-B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2SK596S-B Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 150µA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 500mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4.1pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SC-72 |
| Lieferantengerätepaket | 3-SPA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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