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JANTX2N4093UB

JANTX2N4093UB

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N4093UB
PNEDA Teilenummer JANTX2N4093UB
Beschreibung JFET N-CH 40V 0.36W SMD
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $1.413,0052
50 ---------- $1.346,7706
100 ---------- $1.280,5359
200 ---------- $1.214,3013
400 ---------- $1.159,1058
500 ---------- $1.103,9103
Auf Lager 218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTX2N4093UB Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N4093UB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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JANTX2N4093UB Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 20V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 20V
Widerstand - RDS (Ein)80 Ohms
Leistung - max360mW
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, No Lead
LieferantengerätepaketUB

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SOT-23

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J110_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

18 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2.5V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AC (TO-52)

MV2N4856UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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