2SK3320-Y(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK3320-Y(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK3320-Y-TE85L-F | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET DUAL N-CH USV | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 11.200 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK3320-Y(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK3320-Y(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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2SK3320-Y(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 200mV @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 200mW |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Lieferantengerätepaket | USV |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
