Transistoren

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APT30GP60LDLG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 463W TO264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max: 463W Schaltenergie: 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/55ns Testbedingung: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager4.554
APT30GS60BRDLG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 54A 250W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 113A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 570µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/360ns Testbedingung: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager3.600
APT30GS60BRDQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 54A 250W SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 113A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 570µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/360ns Testbedingung: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 25ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager8.406
APT30GS60KRG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 54A 250W TO220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 113A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 570µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/360ns Testbedingung: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.884
APT30GT60BRDQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 64A 250W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 80µJ (on), 605µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 7.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/225ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 22ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager6.648
APT30GT60BRG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 64A 250W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 525µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/225ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager886
APT30GT60KRG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 64A 250W TO220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 525µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/225ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220 [K]	Auf Lager4.446
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 64A 357W TMAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A Leistung - max: 357W Schaltenergie: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/185ns Testbedingung: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.284
APT33GF120BRG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 52A 297W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 52A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max: 297W Schaltenergie: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/210ns Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager819
APT33GF120LRDQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 64A 357W TO264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A Leistung - max: 357W Schaltenergie: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/185ns Testbedingung: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264 [L]	Auf Lager5.724
APT35GA90B Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 63A 290W TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/104ns Testbedingung: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager8.352
APT35GA90BD15 Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 63A 290W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/104ns Testbedingung: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager6.012
APT35GN120BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 94A 379W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 94A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Leistung - max: 379W Schaltenergie: 2.315mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24ns/300ns Testbedingung: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager4.536
APT35GN120L2DQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 94A 379W TO264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 94A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Leistung - max: 379W Schaltenergie: 2.315mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24ns/300ns Testbedingung: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.784
APT35GP120B2DQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 96A 543W TMAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 750µJ (on), 680µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/95ns Testbedingung: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager98
APT35GP120BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 96A 543W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 750µJ (on), 680µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/94ns Testbedingung: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager403
APT36GA60B Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 65A 290W TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 109A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 307µJ (on), 254µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/122ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager379
APT36GA60BD15 Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 65A 290W TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 109A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 307µJ (on), 254µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/122ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager8.586
APT40GP60B2DQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 543W TMAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 385µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/64ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.210
APT40GP60BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 543W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/64ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager517
APT40GP60SG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 543W D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/64ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: D3 [S]	Auf Lager2.592
APT40GP90B2DQ2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 101A 543W TMAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 101A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 795µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/90ns Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.200
APT40GP90BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 100A 543W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A Leistung - max: 543W Schaltenergie: 825µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/75ns Testbedingung: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager6.282
APT40GR120B Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 88A 500W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 500W Schaltenergie: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/163ns Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.478
APT40GR120B2D30 Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 88A 500W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 500W Schaltenergie: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/163ns Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.380
APT40GR120B2SCD10 Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 88A 500W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 500W Schaltenergie: 929µJ (on), 1070µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/166ns Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager3.528
APT40GR120S Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 88A 500W D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 500W Schaltenergie: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/163ns Testbedingung: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D3Pak	Auf Lager8.640
APT40GT60BRG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 345W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max: 345W Schaltenergie: 828µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/124ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager13.164
APT43GA90B Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 78A 337W TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 129A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 337W Schaltenergie: 875µJ (on), 425µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/82ns Testbedingung: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager314
APT43GA90BD30 Microsemi	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 78A 337W TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 129A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A Leistung - max: 337W Schaltenergie: 875µJ (on), 425µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/82ns Testbedingung: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]	Auf Lager6.192

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