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APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Nur als Referenz

Teilenummer APT30GT60KRG
PNEDA Teilenummer APT30GT60KRG
Beschreibung IGBT 600V 64A 250W TO220
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.446
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT30GT60KRG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT30GT60KRG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
APT30GT60KRG, APT30GT60KRG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 114,26 KB)
PDFAPT30GT60KRG Datenblatt Cover
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APT30GT60KRG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie525µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge145nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/225ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220 [K]

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

350µJ (on), 435µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/120ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

440µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

510A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1075A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

2300W

Schaltenergie

3.35mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

438nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

830µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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