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IXGR60N60C3C1

IXGR60N60C3C1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR60N60C3C1
PNEDA Teilenummer IXGR60N60C3C1
Beschreibung IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.172
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR60N60C3C1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR60N60C3C1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR60N60C3C1, IXGR60N60C3C1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 194,38 KB)
PDFIXGR60N60C3C1 Datenblatt Cover
IXGR60N60C3C1 Datenblatt Seite 2 IXGR60N60C3C1 Datenblatt Seite 3 IXGR60N60C3C1 Datenblatt Seite 4 IXGR60N60C3C1 Datenblatt Seite 5 IXGR60N60C3C1 Datenblatt Seite 6

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IXGR60N60C3C1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max170W
Schaltenergie830µJ (on), 450µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge115nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/70ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

950µJ (on), 760µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/110ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.69mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/87ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

SGP07N120XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/440ns

Testbedingung

800V, 8A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IHD10N60RA

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

270µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

174W

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-

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Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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