IXXX300N60C3
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| Teilenummer | IXXX300N60C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXXX300N60C3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 510A 2300W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXX300N60C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXX300N60C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXX300N60C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 510A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 1075A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 2300W |
| Schaltenergie | 3.35mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 438nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 860A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max 290W Schaltenergie 115µJ (on), 195µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/35ns Testbedingung 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 480W Schaltenergie 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 146nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/95ns Testbedingung 400V, 50A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max 138W Schaltenergie 1.46mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/520ns Testbedingung 610V, 10A, 81Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 115ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
