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IXGT60N60C2

IXGT60N60C2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT60N60C2
PNEDA Teilenummer IXGT60N60C2
Beschreibung IGBT 600V 75A 480W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.436
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IXGT60N60C2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT60N60C2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT60N60C2, IXGT60N60C2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 583,57 KB)
PDFIXGT60N60C2 Datenblatt Cover
IXGT60N60C2 Datenblatt Seite 2 IXGT60N60C2 Datenblatt Seite 3 IXGT60N60C2 Datenblatt Seite 4 IXGT60N60C2 Datenblatt Seite 5

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IXGT60N60C2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max480W
Schaltenergie480µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge146nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/95ns
Testbedingung400V, 50A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

39W

Schaltenergie

160µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4PSH71KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

2.35mJ (on), 3.14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/220ns

Testbedingung

960V, 42A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/185ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

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Paket / Fall

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