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APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT33GF120LRDQ2G
PNEDA Teilenummer APT33GF120LRDQ2G
Beschreibung IGBT 1200V 64A 357W TO264
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.724
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT33GF120LRDQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT33GF120LRDQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT33GF120LRDQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Leistung - max357W
Schaltenergie1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/185ns
Testbedingung800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 [L]

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG7PH44K10D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/315ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RGTH40TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/73ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/190ns

Testbedingung

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

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Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/190ns

Testbedingung

300V, 15A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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