APT30GP60LDLG
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| Teilenummer | APT30GP60LDLG |
| PNEDA Teilenummer | APT30GP60LDLG |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 463W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.554 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT30GP60LDLG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT30GP60LDLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT30GP60LDLG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 463W |
| Schaltenergie | 260µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/55ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A Leistung - max 781W Schaltenergie 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/260ns Testbedingung 800V, 50A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
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