APT50GF120LRG
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| Teilenummer | APT50GF120LRG |
| PNEDA Teilenummer | APT50GF120LRG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 135A 781W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.804 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GF120LRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GF120LRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GF120LRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 135A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 781W |
| Schaltenergie | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/260ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 700ns/4.3µs Testbedingung 300V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak) |
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