APT80GA90LD40
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| Teilenummer | APT80GA90LD40 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT80GA90LD40 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 900V 145A 625W TO-264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 1.519 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT80GA90LD40 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT80GA90LD40 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT80GA90LD40 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 145A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 239A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 1652µJ (on), 1389µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/149ns |
| Testbedingung | 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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