APT40GR120B2SCD10
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| Teilenummer | APT40GR120B2SCD10 |
| PNEDA Teilenummer | APT40GR120B2SCD10 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 88A 500W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT40GR120B2SCD10 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT40GR120B2SCD10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT40GR120B2SCD10 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 88A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 929µJ (on), 1070µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/166ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A Leistung - max 347W Schaltenergie 930µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/150ns Testbedingung 800V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/90ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 15A Leistung - max 278W Schaltenergie 360µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/130ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/280ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/175ns Testbedingung 300V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
