STGW80H65DFB
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| Teilenummer | STGW80H65DFB |
| PNEDA Teilenummer | STGW80H65DFB |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.154 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGW80H65DFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW80H65DFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW80H65DFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 469W |
| Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 84ns/280ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max 70W Schaltenergie 95µJ (on), 115µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18.5ns/72ns Testbedingung 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/40ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 51A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 204A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A Leistung - max 200W Schaltenergie 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/110ns Testbedingung 720V, 28A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
