AUIRG4PH50S
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| Teilenummer | AUIRG4PH50S |
| PNEDA Teilenummer | AUIRG4PH50S |
| Beschreibung | IGBT 1200V 57A 200W TO247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.164 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AUIRG4PH50S Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRG4PH50S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AUIRG4PH50S Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 57A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 114A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 167nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/845ns |
| Testbedingung | 960V, 33A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 740µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/400ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 620µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/100ns Testbedingung 800V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max 80W Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 700ns/1.2µs Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max 298W Schaltenergie 1.41mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 173nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 87ns/180ns Testbedingung 400V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 76ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
