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IRGB6B60KPBF

IRGB6B60KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGB6B60KPBF
PNEDA Teilenummer IRGB6B60KPBF
Beschreibung IGBT 600V 13A 90W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.830
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Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRGB6B60KPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGB6B60KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGB6B60KPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)26A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 5A
Leistung - max90W
Schaltenergie110µJ (on), 135µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/215ns
Testbedingung400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IRG8P50N120KD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/190ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRGP4069PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

390µJ (on), 632µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT50GR120L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

445nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/237ns

Testbedingung

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

67A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

246W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 610µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

177nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/222ns

Testbedingung

400V, 40A, 10.1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

87ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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