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STGD6NC60HT4

STGD6NC60HT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD6NC60HT4
PNEDA Teilenummer STGD6NC60HT4
Beschreibung IGBT 600V 15A 56W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD6NC60HT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD6NC60HT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD6NC60HT4, STGD6NC60HT4 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 473,27 KB)
PDFSTGD6NC60HT4 Datenblatt Cover
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STGD6NC60HT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)21A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
Leistung - max56W
Schaltenergie20µJ (on), 68µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/76ns
Testbedingung390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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FGP15N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

370µJ (on), 67µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.3ns/54.8ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

82.4ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/80ns

Testbedingung

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SKB02N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

IKP20N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

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125W

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170µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/156ns

Testbedingung

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

52ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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