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IXYK140N90C3

IXYK140N90C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYK140N90C3
PNEDA Teilenummer IXYK140N90C3
Beschreibung IGBT 900V 310A 1630W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYK140N90C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYK140N90C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYK140N90C3, IXYK140N90C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 206,01 KB)
PDFIXYK140N90C3 Datenblatt Cover
IXYK140N90C3 Datenblatt Seite 2 IXYK140N90C3 Datenblatt Seite 3 IXYK140N90C3 Datenblatt Seite 4 IXYK140N90C3 Datenblatt Seite 5 IXYK140N90C3 Datenblatt Seite 6

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IXYK140N90C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)310A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)840A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 140A
Leistung - max1630W
Schaltenergie4.3mJ (on), 4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge330nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/145ns
Testbedingung450V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXYK)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

122µJ (on), 56µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

FGA40T65UQDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.67V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

989µJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/271ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

FGH60N60SFDTU-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.97mJ (on), 570µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/90ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB30N60FLWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

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Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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