IXGT40N60C2
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| Teilenummer | IXGT40N60C2 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT40N60C2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 300W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT40N60C2 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT40N60C2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT40N60C2 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 95nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max 99W Schaltenergie 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/95ns Testbedingung 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 320W Schaltenergie 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/229ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 153ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max - Schaltenergie 307µJ (on), 266µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/276ns Testbedingung 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 76ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.18mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/280ns Testbedingung 600V, 40A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/51ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
