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IRG4BC10KPBF

IRG4BC10KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC10KPBF
PNEDA Teilenummer IRG4BC10KPBF
Beschreibung IGBT 600V 9A 38W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC10KPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC10KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC10KPBF, IRG4BC10KPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 208,25 KB)
PDFIRG4BC10KPBF Datenblatt Cover
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IRG4BC10KPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.62V @ 15V, 5A
Leistung - max38W
Schaltenergie160µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.11ns/51ns
Testbedingung480V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

305µJ (on), 181µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29.5ns/118ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGP5H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

56µJ (on), 78.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

400V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

134.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IXRR40N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

STGFW80V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Leistung - max

79W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

448nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

AIHD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

7.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

53.6W

Schaltenergie

50µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/128ns

Testbedingung

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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