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RJP60F5DPM-00#T1

RJP60F5DPM-00#T1

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60F5DPM-00#T1
PNEDA Teilenummer RJP60F5DPM-00-T1
Beschreibung IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 8.712
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RJP60F5DPM-00#T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60F5DPM-00#T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJP60F5DPM-00#T1, RJP60F5DPM-00#T1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 78,13 KB)
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RJP60F5DPM-00#T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Leistung - max45W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge74nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/90ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

790W

Schaltenergie

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

399nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/332ns

Testbedingung

600V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

99ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

RGS80TSX2DHRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

3mJ (on), 3.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/199ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

198ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

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Eingabetyp

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53nC

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600V, 20A, 10Ohm, 15V

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

TO-247-3

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