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IKP04N60TXKSA1

IKP04N60TXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP04N60TXKSA1
PNEDA Teilenummer IKP04N60TXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 8A 42W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.760
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IKP04N60TXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP04N60TXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKP04N60TXKSA1, IKP04N60TXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 499,5 KB)
PDFIKI04N60TXKSA1 Datenblatt Cover
IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 2 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 3 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 4 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 5 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 6 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 7 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 8 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 9 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 10 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 11

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IKP04N60TXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
Leistung - max42W
Schaltenergie143µJ
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/164ns
Testbedingung400V, 4A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

230µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/80ns

Testbedingung

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

450µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/173ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

AUIRGB4062D1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

59A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

Leistung - max

246W

Schaltenergie

532µJ (on), 311µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/90ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

102ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGP15M65DF2

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

90µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/93ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

142ns

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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