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IKP04N60TXKSA1

IKP04N60TXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP04N60TXKSA1
PNEDA Teilenummer IKP04N60TXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 8A 42W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.760
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IKP04N60TXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP04N60TXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKP04N60TXKSA1, IKP04N60TXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 499,5 KB)
PDFIKI04N60TXKSA1 Datenblatt Cover
IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 2 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 3 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 4 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 5 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 6 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 7 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 8 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 9 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 10 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 11

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IKP04N60TXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
Leistung - max42W
Schaltenergie143µJ
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/164ns
Testbedingung400V, 4A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/190ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGP4M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

450µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/173ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD

IRLML6401TRPBF

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MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

XC3S500E-4VQG100I

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Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

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Macronix

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Analog Devices

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ECX-.327-CDX-1293

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IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

IRF7470PBF

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