STGP4M65DF2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGP4M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGP4M65DF2 |
| Beschreibung | IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.482 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGP4M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGP4M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGP4M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 16A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 68W |
| Schaltenergie | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15.2nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/86ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 133ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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