IXXH30N65C4D1
Nur als Referenz
Teilenummer | IXXH30N65C4D1 |
PNEDA Teilenummer | IXXH30N65C4D1 |
Beschreibung | IGBT |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.442 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IXXH30N65C4D1 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXXH30N65C4D1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IXXH30N65C4D1 Datasheet
- where to find IXXH30N65C4D1
- IXYS
- IXYS IXXH30N65C4D1
- IXXH30N65C4D1 PDF Datasheet
- IXXH30N65C4D1 Stock
- IXXH30N65C4D1 Pinout
- Datasheet IXXH30N65C4D1
- IXXH30N65C4D1 Supplier
- IXYS Distributor
- IXXH30N65C4D1 Price
- IXXH30N65C4D1 Distributor
IXXH30N65C4D1 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | XPT™, GenX4™ |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 62A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 136A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
Leistung - max | 230W |
Schaltenergie | 1.1mJ (on), 400µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 47nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/140ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 15Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 72ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 543W Schaltenergie 4495µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/320ns Testbedingung 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 165µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/28ns Testbedingung 600V, 13A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A Leistung - max 49W Schaltenergie 50µJ (on), 27µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/59ns Testbedingung 300V, 3A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 104A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 208A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 330W Schaltenergie 45µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/120ns Testbedingung 180V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.29mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/291ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |