APT40GP60SG
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| Teilenummer | APT40GP60SG |
| PNEDA Teilenummer | APT40GP60SG |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 543W D3PAK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT40GP60SG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT40GP60SG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT40GP60SG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 543W |
| Schaltenergie | 385µJ (on), 352µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/64ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | D3 [S] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A Leistung - max 100W Schaltenergie 950µJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/220ns Testbedingung 800V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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