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STGW35HF60WDI

STGW35HF60WDI

Nur als Referenz

Teilenummer STGW35HF60WDI
PNEDA Teilenummer STGW35HF60WDI
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 18.516
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STGW35HF60WDI Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW35HF60WDI
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW35HF60WDI, STGW35HF60WDI Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.049,81 KB)
PDFSTGWA35HF60WDI Datenblatt Cover
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STGW35HF60WDI Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie185µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/175ns
Testbedingung390V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

57W

Schaltenergie

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/227ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IKP15N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

RGW60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

92ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

STGW35NB60SD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

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Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/190ns

Testbedingung

300V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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