APT30GT60BRG
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| Teilenummer | APT30GT60BRG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT30GT60BRG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 64A 250W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 886 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT30GT60BRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT30GT60BRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT30GT60BRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 64A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 525µJ (on), 600µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 145nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/225ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 151µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/450ns Testbedingung 480V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 435V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.1µs/4.6µs Testbedingung 300V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/90ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
