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STGB25N40LZAG

STGB25N40LZAG

Nur als Referenz

Teilenummer STGB25N40LZAG
PNEDA Teilenummer STGB25N40LZAG
Beschreibung POWER TRANSISTORS
Hersteller STMicroelectronics
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Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGB25N40LZAG Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB25N40LZAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB25N40LZAG, STGB25N40LZAG Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 546,88 KB)
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STGB25N40LZAG Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)435V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.25V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge26nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1.1µs/4.6µs
Testbedingung300V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGP30B60KD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

304W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

125ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG7CH75UED-R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

STGD7NB120ST4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

3.2µJ (on), 15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

570ns/-

Testbedingung

960V, 7A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

NGTB40N65IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

405W

Schaltenergie

420µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

NGTB20N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

86ns/235ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Kürzlich verkauft

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IGBT 650V 150A 375W TO-247AB

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ADP150AUJZ-3.3-R7

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MC68HC908GP32CFB

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SMF5.0A

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ADP191ACBZ-R7

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LTV-817S-TA1-D

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OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

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TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

HDSP-0770

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DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER