IGP50N60TXKSA1
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| Teilenummer | IGP50N60TXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGP50N60TXKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 333W TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGP50N60TXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGP50N60TXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGP50N60TXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 333W |
| Schaltenergie | 2.6mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 310nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/299ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 270W Schaltenergie 6.5mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/480ns Testbedingung 600V, 40A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A Leistung - max 150W Schaltenergie 1.75mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/148ns Testbedingung 960V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 AA (IXSA) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 133W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/64ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS (TO-263S) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/51ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 80µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/116ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
