IRG4RC10UTRL
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG4RC10UTRL |
| PNEDA Teilenummer | IRG4RC10UTRL |
| Beschreibung | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.308 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG4RC10UTRL Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4RC10UTRL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4RC10UTRL Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8.5A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 34A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 80µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/116ns |
| Testbedingung | 480V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 62A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Leistung - max 188W Schaltenergie 560µJ (on), 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/124ns Testbedingung 400V, 30A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 75ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A Leistung - max 380W Schaltenergie 4.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/290ns Testbedingung 960V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 485A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Leistung - max 880W Schaltenergie 8.7mJ (on), 5.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/236ns Testbedingung 850V, 50A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 255ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227B |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Leistung - max 375W Schaltenergie 1.09mJ (on), 626µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 51ns/160ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 250W Schaltenergie 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/140ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 400ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
