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IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYN50N170CV1
PNEDA Teilenummer IXYN50N170CV1
Beschreibung IGBT 1700V 120A SOT227B
Hersteller IXYS
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IXYN50N170CV1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYN50N170CV1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYN50N170CV1, IXYN50N170CV1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 204,15 KB)
PDFIXYN50N170CV1 Datenblatt Cover
IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 2 IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 3 IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 4 IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 5 IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 6 IXYN50N170CV1 Datenblatt Seite 7

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IXYN50N170CV1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)485A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Leistung - max880W
Schaltenergie8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge260nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/236ns
Testbedingung850V, 50A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)255ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

251nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGPF4565

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.88V @ 15V, 30A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11.2ns/40.8ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

67A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

272W

Schaltenergie

2.15µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/280ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IXGA4N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/390ns

Testbedingung

800V, 4A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

139W

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Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/234ns

Testbedingung

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

279ns

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Paket / Fall

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