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APT40GP90B2DQ2G

APT40GP90B2DQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT40GP90B2DQ2G
PNEDA Teilenummer APT40GP90B2DQ2G
Beschreibung IGBT 900V 101A 543W TMAX
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT40GP90B2DQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT40GP90B2DQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT40GP90B2DQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)101A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 40A
Leistung - max543W
Schaltenergie795µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge145nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/90ns
Testbedingung600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14.2ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IXGP4N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/390ns

Testbedingung

800V, 4A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXGF30N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 90A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

STGFW40H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

498µJ (on), 363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

Kürzlich verkauft

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