APT33GF120B2RDQ2G
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| Teilenummer | APT33GF120B2RDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT33GF120B2RDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT33GF120B2RDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT33GF120B2RDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT33GF120B2RDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 64A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 357W |
| Schaltenergie | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14ns/185ns |
| Testbedingung | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 370A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1000A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 160A Leistung - max 1150W Schaltenergie 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 553nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 62ns/245ns Testbedingung 400V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
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