Transistoren

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NSVMUN5333DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager247.368
NSVMUN5333DW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager2.646
NSVMUN5334DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager4.788
NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt COMPLEMENTARY DIGITAL TRA Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager2.772
NSVS50030SB3T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.816
NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager5.382
NSVUMC2NT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager6.678
NSVUMC3NT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager5.364
NSVUMC5NT2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager5.184
NUS2401SNT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 175Ohms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SC-74	Auf Lager3.132
NUS2401SNT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 175Ohms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 175Ohms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SC-74	Auf Lager3.544
PBLS1501V,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager92.622
PBLS1501Y,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager5.490
PBLS1502V,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.932
PBLS1502Y,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager5.058
PBLS1503V,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.484
PBLS1503Y,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager45.744
PBLS1504V,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager8.064
PBLS1504Y,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 15V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager7.254
PBLS2001D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 185MHz Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager29.910
PBLS2001S,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 1.5W Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.534
PBLS2002D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 185MHz Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager22.416
PBLS2002S,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 1.5W Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.352
PBLS2003D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 185MHz Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager6.192
PBLS2003S,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 1.5W Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.052
PBLS2004D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 185MHz Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager23.280
PBLS2021D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 760mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager4.788
PBLS2022D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 760mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager3.528
PBLS2023D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 760mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager8.406
PBLS2024D,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 20V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 760mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager6.696

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