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PBLS2001D,115

PBLS2001D,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBLS2001D,115
PNEDA Teilenummer PBLS2001D-115
Beschreibung TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 29.910
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 6 - Dez 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBLS2001D Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBLS2001D,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PBLS2001D, PBLS2001D Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 274,5 KB)
PDFPBLS2001D Datenblatt Cover
PBLS2001D Datenblatt Seite 2 PBLS2001D Datenblatt Seite 3 PBLS2001D Datenblatt Seite 4 PBLS2001D Datenblatt Seite 5 PBLS2001D Datenblatt Seite 6 PBLS2001D Datenblatt Seite 7 PBLS2001D Datenblatt Seite 8 PBLS2001D Datenblatt Seite 9 PBLS2001D Datenblatt Seite 10 PBLS2001D Datenblatt Seite 11

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PBLS2001D Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA, 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V, 20V
Widerstand - Basis (R1)2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)2.2kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA, 100nA
Frequenz - Übergang185MHz
Leistung - max600mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

DMA566040R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SMini6-F3-B

RN4907FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz, 200MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6

XN0421300L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

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