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SSVMUN5312DW1T2G

SSVMUN5312DW1T2G

Nur als Referenz

Teilenummer SSVMUN5312DW1T2G
PNEDA Teilenummer SSVMUN5312DW1T2G
Beschreibung TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSVMUN5312DW1T2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSVMUN5312DW1T2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

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SSVMUN5312DW1T2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)22kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max187mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

130MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

RN2709JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-553

Lieferantengerätepaket

ESV

XN0121600L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

Mini5-G1

PIMH9,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

600mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

PBLS4004D,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 40V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA, 100nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

600mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

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