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Transistoren

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Beschreibung
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NSBC143EDXV6T1G
NSBC143EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.898
NSBC143EPDP6T5G
NSBC143EPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager2.106
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.598
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.406
NSBC143TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.816
NSBC143TDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.166
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.464
NSBC143TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.878
NSBC143TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager30.864
NSBC143TPDXV6T5G
NSBC143TPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.148
NSBC143ZDP6T5G
NSBC143ZDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager7.560
NSBC143ZDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.232
NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager28.560
NSBC143ZDXV6T5G
NSBC143ZDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.204
NSBC143ZPDP6T5G
NSBC143ZPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager7.434
NSBC143ZPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.158
NSBC143ZPDXV6T5
NSBC143ZPDXV6T5

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.214
NSBC143ZPDXV6T5G
NSBC143ZPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.034
NSBC144EDP6T5G
NSBC144EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager8.910
NSBC144EDXV6T1G
NSBC144EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager29.838
NSBC144EDXV6T5G
NSBC144EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.870
NSBC144EPDP6T5G
NSBC144EPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager6.894
NSBC144EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.958
NSBC144EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.428
NSBC144EPDXV6T5
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.148
NSBC144EPDXV6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.520
NSBC144WDP6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 408mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager5.670
NSBC144WDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.230
NSBC144WPDP6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager5.328
NSM11156DW6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 65V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager3.852