Transistoren

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NSM21156DW6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 65V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager7.560
NSM21356DW6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 65V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager5.670
NSM46211DW6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 65V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager8.262
NSTB1002DXV5T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager7.218
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager4.626
NSTB1003DXV5T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager5.148
NSTB1004DXV5T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager3.562
NSTB60BDW1T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager5.868
NSTB60BDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager29.004
NSVB114YPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS BRT 50V 100MA SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.700
NSVB123JPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.160
NSVB124XPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.552
NSVB143TPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 357mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager5.022
NSVB143ZPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS BRT 50V 100MA SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager3.132
NSVB144EPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager7.560
NSVB1706DMW5T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager5.328
NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563-6	Auf Lager8.712
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager3.132
NSVBA143ZDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.112
NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.786
NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP BIAS SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.192
NSVBC114YDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.934
NSVBC114YPDXV65G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.622
NSVBC114YPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager7.398
NSVBC123JPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager5.706
NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager4.824
NSVBC124EPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt SS SOT563 DUAL RSTR XSTR Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 339W Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager5.922
NSVBC124XDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.912
NSVBC124XPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.862
NSVBC143TPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager3.042

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