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Transistoren

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PBLS4001D,115
PBLS4001D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager3.636
PBLS4001V,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager4.662
PBLS4001Y,115
PBLS4001Y,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager25.230
PBLS4002D,115
PBLS4002D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager7.830
PBLS4002V,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager4.014
PBLS4002Y,115
PBLS4002Y,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager24.672
PBLS4003D,115
PBLS4003D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager29.562
PBLS4003V,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager7.092
PBLS4003Y,115
PBLS4003Y,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager28.542
PBLS4004D,115
PBLS4004D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager4.590
PBLS4004V,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager3.456
PBLS4004Y,115
PBLS4004Y,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager26.046
PBLS4005D,115
PBLS4005D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager24.264
PBLS4005V,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager7.254
PBLS4005Y,115
PBLS4005Y,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager8.730
PBLS6001D,115
PBLS6001D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 185MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager4.914
PBLS6002D,115
PBLS6002D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 185MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager22.674
PBLS6003D,115
PBLS6003D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 185MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager24.486
PBLS6004D,115
PBLS6004D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 185MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager26.532
PBLS6005D,115
PBLS6005D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 185MHz
  • Leistung - max: 600mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager2.232
PBLS6021D,115
PBLS6021D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 760mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager3.402
PBLS6022D,115
PBLS6022D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 760mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager8.982
PBLS6023D,115
PBLS6023D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 760mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager2.232
PBLS6024D,115
PBLS6024D,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 65V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, 100nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 760mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSOP
Auf Lager4.986
PEMB10,115
PEMB10,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager33.258
PEMB11,115
PEMB11,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: 180MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager89.196
PEMB1,115
PEMB1,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager8.856
PEMB13,115
PEMB13,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager3.708
PEMB14,115
PEMB14,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager6.192
PEMB15,115
PEMB15,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-666
Auf Lager4.680