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PBLS6022D,115

PBLS6022D,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBLS6022D,115
PNEDA Teilenummer PBLS6022D-115
Beschreibung TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBLS6022D Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBLS6022D,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PBLS6022D, PBLS6022D Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 226,25 KB)
PDFPBLS6022D Datenblatt Cover
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PBLS6022D Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA, 1.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V, 60V
Widerstand - Basis (R1)4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)4.7kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA, 100nA
Frequenz - Übergang150MHz
Leistung - max760mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

500mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

PUMD10,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

230MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

RN1705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

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