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PEMB16,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.572
PEMB17,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.876
PEMB18,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.606
PEMB19,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager5.328
PEMB20,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.016
PEMB2,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.338
PEMB24,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.200
PEMB30,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager5.256
PEMB30,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.068
PEMB3,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.744
PEMB4,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.708
PEMB9,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager8.262
PEMB9,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.276
PEMD10,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.410
PEMD12,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.888
PEMD12,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.948
PEMD13,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager5.004
PEMD14,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager8.802
PEMD15,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.672
PEMD16,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager33.918
PEMD17,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.050
PEMD18,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.502
PEMD19,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.074
PEMD20,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.030
PEMD2,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.470
PEMD2,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.302
PEMD24,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.446
PEMD30,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.092
PEMD30,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.664
PEMD3,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager34.590

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