PEMD3,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PEMD3,115 |
| PNEDA Teilenummer | PEMD3-115 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 6 - Dez 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PEMD3 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PEMD3,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PEMD3 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-666 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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