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PEMB9,315

PEMB9,315

Nur als Referenz

Teilenummer PEMB9,315
PNEDA Teilenummer PEMB9-315
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PEMB9 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPEMB9,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PEMB9, PEMB9 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 915,04 KB)
PDFPUMB9 Datenblatt Cover
PUMB9 Datenblatt Seite 2 PUMB9 Datenblatt Seite 3 PUMB9 Datenblatt Seite 4 PUMB9 Datenblatt Seite 5 PUMB9 Datenblatt Seite 6 PUMB9 Datenblatt Seite 7 PUMB9 Datenblatt Seite 8 PUMB9 Datenblatt Seite 9 PUMB9 Datenblatt Seite 10 PUMB9 Datenblatt Seite 11

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PEMB9 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-665

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz, 80MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

RN1711JE(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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