RN1711JE(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | RN1711JE(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | RN1711JE-TE85L-F |
| Beschreibung | TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RN1711JE(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN1711JE(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN1711JE(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Widerstand - Basis (R1) | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
