Transistoren

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PIMC31F Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PIMC31/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 420mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager86.988
PIMD2,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager5.346
PIMD2,125 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager4.716
PIMD3,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager764.928
PIMD3F Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PIMD3/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager7.488
PIMH9,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 600mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager5.994
PIMN31,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 420mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager119.946
PQMB11Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PNP/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager8.802
PQMD10Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager8.802
PQMD12Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager3.096
PQMD13Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager6.390
PQMD16Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager7.560
PQMD2Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager4.392
PQMD3Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz, 180MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager7.668
PQMH10Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/NPN RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager5.094
PQMH11Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/NPN RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager7.722
PQMH13Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/NPN RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager2.088
PQMH2Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/NPN RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager2.538
PQMH9Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/NPN RET 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager6.408
PRMB11Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMB11/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager5.130
PRMD10Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD10/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager46.260
PRMD12Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD12/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager52.992
PRMD13Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD13/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager45.426
PRMD16Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD16/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager44.994
PRMD2Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD2/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager2.196
PRMD3Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMD3/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager45.966
PRMH10Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMH10/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager51.582
PRMH11Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMH11/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager5.814
PRMH13Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMH13/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager3.456
PRMH2Z Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PRMH2/SOT1268/DFN1412-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 480mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1412-6	Auf Lager39.834

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