PRMH2Z
Nur als Referenz
| Teilenummer | PRMH2Z |
| PNEDA Teilenummer | PRMH2Z |
| Beschreibung | PRMH2/SOT1268/DFN1412-6 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 39.834 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PRMH2Z Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PRMH2Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PRMH2Z Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
| Frequenz - Übergang | 230MHz |
| Leistung - max | 480mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1412-6 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang - Leistung - max - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 339mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 187mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 80MHz Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SSMINI6-F1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 100MHz, 200MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
