Transistoren

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PEMD3,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.880
PEMD4,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager35.142
PEMD48,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms, 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.246
PEMD6,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager5.832
PEMD9,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager5.454
PEMD9,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.320
PEMF21,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.416
PEMH10,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager269.046
PEMH11,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager9.960
PEMH1,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.488
PEMH11,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.718
PEMH13,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager54.936
PEMH13,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.626
PEMH14,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager2.088
PEMH15,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager302.988
PEMH16,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.596
PEMH17,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.570
PEMH18,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.222
PEMH19,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.120
PEMH20,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager8.244
PEMH2,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.164
PEMH2,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.078
PEMH24,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager4.590
PEMH30,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.534
PEMH30,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.544
PEMH4,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager3.204
PEMH7,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.606
PEMH9,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager34.596
PEMH9,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager7.074
PIMC31,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 420mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager1.657.620

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