Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PEMH30,315

PEMH30,315

Nur als Referenz

Teilenummer PEMH30,315
PNEDA Teilenummer PEMH30-315
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 29 - Apr 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PEMH30 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPEMH30,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PEMH30, PEMH30 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 189,36 KB)
PDFPEMH30 Datenblatt Cover
PEMH30 Datenblatt Seite 2 PEMH30 Datenblatt Seite 3 PEMH30 Datenblatt Seite 4 PEMH30 Datenblatt Seite 5 PEMH30 Datenblatt Seite 6 PEMH30 Datenblatt Seite 7 PEMH30 Datenblatt Seite 8 PEMH30 Datenblatt Seite 9 PEMH30 Datenblatt Seite 10 PEMH30 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PEMH30,315 Datasheet
  • where to find PEMH30,315
  • Nexperia

  • Nexperia PEMH30,315
  • PEMH30,315 PDF Datasheet
  • PEMH30,315 Stock

  • PEMH30,315 Pinout
  • Datasheet PEMH30,315
  • PEMH30,315 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PEMH30,315 Price
  • PEMH30,315 Distributor

PEMH30 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MUN5216DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMC264020R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

Mini6-G4-B

NP0J1A300A

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SSSMini6-F1

RN4910(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

RN4607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SM6

Kürzlich verkauft

ADP7182AUJZ-5.0-R7

ADP7182AUJZ-5.0-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR -5V 200MA 5TSOT

LM2901DR

LM2901DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD GP 14-SOIC

MCP79410T-I/MS

MCP79410T-I/MS

Microchip Technology

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-MSOP

U6264BDC07LLG1

U6264BDC07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

TQ2SA-5V

TQ2SA-5V

Panasonic Electric Works

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

EE-SY124

EE-SY124

Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSR OPTO TRANS 1MM REFL TH PCB

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

TDA04H0SB1R

TDA04H0SB1R

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MBR140SFT1

MBR140SFT1

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

IRG4BC20KDSTRRP

IRG4BC20KDSTRRP

Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

IXGA20N120A3

IXGA20N120A3

IXYS

IGBT 1200V 40A 180W TO263

SMBJ6V5A

SMBJ6V5A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA